NCV57252DWR2G

NCV57252DWR2G एक अत्यधिक बहुमुखी और उच्च प्रदर्शन वाला आइसोलेशन गेट ड्राइवर है जिसे पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसमें हाई पीक आउटपुट करंट, डुअल लो-साइड, डुअल हाई-साइड या हाफ-ब्रिज ड्राइवर के रूप में कॉन्फ़िगरेशन, प्रोग्रामेबल ओवरलैप और डेड टाइम कंट्रोल और पावर सीक्वेंसिंग के लिए एक डिसेबल पिन जैसी विशेषताएं हैं। इसका ANB फ़ंक्शन सर्किट डिज़ाइन को सरल बनाता है, और यह शॉर्ट सर्किट के दौरान IGBT/MOSFET गेट क्लैंपिंग प्रदान करता है। 2.5 या 5 केवीआरएमएस का गैल्वेनिक अलगाव और तंग यूवीएलओ थ्रेसहोल्ड सुरक्षा और विश्वसनीयता बढ़ाते हैं, जबकि विभिन्न तर्क इनपुट श्रेणियों के लिए समर्थन निर्बाध एकीकरण सुनिश्चित करता है। यह ड्राइवर ईवी चार्जर, मोटर नियंत्रण, यूपीएस, औद्योगिक बिजली आपूर्ति, सौर इनवर्टर और ऑटोमोटिव सिस्टम जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है, जो इसे आधुनिक पावर इलेक्ट्रॉनिक्स डिजाइनों के लिए एक मजबूत और लचीला विकल्प बनाता है।

• ईवी चार्जर्स

• मोटर नियंत्रण

• निर्बाध विद्युत आपूर्ति (यूपीएस)

• औद्योगिक विद्युत आपूर्ति

• सोलर इनवर्टर

• ऑटोमोटिव अनुप्रयोग

NCx5725y उच्च-वर्तमान दो चैनल पृथक IGBT/MOSFET गेट ड्राइवर हैं जिनमें 2.5 या 5 kVrms* इनपुट से प्रत्येक आउटपुट तक आंतरिक गैल्वेनिक अलगाव और दो आउटपुट चैनलों के बीच कार्यात्मक अलगाव होता है। डिवाइस इनपुट साइड पर 3.3 V से 20 V बायस वोल्टेज और सिग्नल लेवल और आउटपुट साइड पर 32 V बायस वोल्टेज तक स्वीकार करता है। डिवाइस पूरक इनपुट स्वीकार करता है और सिस्टम डिज़ाइन सुविधा के लिए डिसेबल और डेड टाइम नियंत्रण के लिए अलग-अलग पिन प्रदान करता है। ड्राइवर वाइड बॉडी SOIC−16 और नैरो बॉडी SOIC−16 पैकेज में उपलब्ध हैं।

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