एनसीवी57256डीआर2जी

NCV57256DR2G उत्कृष्ट पीक आउटपुट करंट क्षमता, लो-साइड, हाई-साइड या हाफ-ब्रिज ड्राइवर ऑपरेशन के लिए कॉन्फ़िगरेशन और सटीक स्विचिंग के लिए प्रोग्रामेबल ओवरलैप या डेड टाइम नियंत्रण प्रदान करता है। पावर सीक्वेंसिंग के लिए डिसेबल पिन और पावर सीक्वेंसिंग के लिए एएनबी कार्यक्षमता के साथ सरलीकृत हाफ-ब्रिज सेटअप, सिस्टम नियंत्रण और सुरक्षा को बढ़ाता है। इसके अतिरिक्त, यह शॉर्ट सर्किट के दौरान IGBT/MOSFET गेट क्लैंपिंग प्रदान करता है, जिससे डिवाइस की सुरक्षा सुनिश्चित होती है। ड्राइवर में कम प्रसार विलंब, सख्त यूवीएलओ थ्रेशोल्ड और मजबूत गैल्वेनिक अलगाव की विशेषताएं हैं, जो इसे NCV57256DR2G के साथ उपयोग के लिए उपयुक्त बनाती हैं। यह ऑटोमोटिव उपयोग के लिए AEC-Q100 योग्य और पर्यावरण के अनुकूल, RoHS अनुरूप है। कुल मिलाकर, NCV57256DR2G शक्ति और परिशुद्धता को जोड़ता है, जो इसे विभिन्न प्रकार के पावर इलेक्ट्रॉनिक्स अनुप्रयोगों के लिए एक उत्कृष्ट विकल्प बनाता है।

• ईवी चार्जर्स

• मोटर नियंत्रण

• निर्बाध विद्युत आपूर्ति (यूपीएस)

• औद्योगिक विद्युत आपूर्ति

• सोलर इनवर्टर

• ऑटोमोटिव अनुप्रयोग

NCx5725y उच्च-वर्तमान दो चैनल पृथक IGBT/MOSFET गेट ड्राइवर हैं जिनमें 2.5 या 5 kVrms* इनपुट से प्रत्येक आउटपुट तक आंतरिक गैल्वेनिक अलगाव और दो आउटपुट चैनलों के बीच कार्यात्मक अलगाव होता है। डिवाइस इनपुट साइड पर 3.3 V से 20 V बायस वोल्टेज और सिग्नल लेवल और आउटपुट साइड पर 32 V बायस वोल्टेज तक स्वीकार करता है। डिवाइस पूरक इनपुट स्वीकार करता है और सिस्टम डिज़ाइन सुविधा के लिए डिसेबल और डेड टाइम नियंत्रण के लिए अलग-अलग पिन प्रदान करता है। ड्राइवर वाइड बॉडी SOIC−16 और नैरो बॉडी SOIC−16 पैकेज में उपलब्ध हैं।

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