
SI8237AB-B-IS1R
विवरण
तकनीकी पैरामीटर
डिवाइस एचएस/एलएस और दोहरे ड्राइवर संस्करणों के साथ बहुमुखी प्रतिभा प्रदान करता है, अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला को समायोजित करता है, और इसकी उच्च 8 मेगाहर्ट्ज स्विचिंग आवृत्ति सटीक नियंत्रण सक्षम करती है। 0.5 ए से लेकर प्रभावशाली 4.{4}} ए तक के चरम आउटपुट विकल्पों के साथ, SI8237AB-B-IS1R विभिन्न बिजली आवश्यकताओं के अनुरूप है। उच्च विद्युत चुम्बकीय प्रतिरक्षा और तेज 60 एनएस प्रसार विलंब के लिए इंजीनियर किया गया, यह विद्युत शोर वाले वातावरण में भी निर्बाध रूप से काम करता है। स्वतंत्र इनपुट या पीडब्लूएम संस्करणों का समावेश, 45 केवी/μs से अधिक की क्षणिक प्रतिरक्षा, ओवरलैप सुरक्षा और प्रोग्राम योग्य डेड टाइम इष्टतम प्रदर्शन सुनिश्चित करता है। AEC-Q100 योग्यता इसकी विश्वसनीयता को प्रमाणित करती है, और RoHS-संगत पैकेजों के साथ-साथ -40 से +125 डिग्री तक इसकी विस्तृत परिचालन सीमा, विभिन्न पर्यावरणीय परिस्थितियों के लिए इसकी अनुकूलन क्षमता को बढ़ाती है। अंत में, SI8237AB-B-IS1R पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए एक नया मानक स्थापित करता है, जो इंजीनियरों और डिजाइनरों को उन्नत सुविधाओं और कड़े योग्यता मानकों के साथ एक भरोसेमंद समाधान प्रदान करता है।

संबंधित उत्पाद:
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एमएफआर भाग |
SI8237AB-B-AS1R |
SI8237AB-B-IS1R |
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विवरण |
डीजीटीएल आईएसओ गेट डीवीआर |
डीजीटीएल आईएसओ गेट डीवीआर |
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भंडार |
30000 |
30000 |
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उत्पाद की स्थिति |
सक्रिय |
सक्रिय |
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तकनीकी |
कैपेसिटिव कपलिंग |
कैपेसिटिव कपलिंग |
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चैनलों की संख्या |
2 |
2 |
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वोल्टेज-अलगाव |
2500Vrms |
2500Vrms |
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सामान्य मोड क्षणिक प्रतिरक्षा (न्यूनतम) |
20kV/हमें |
20kV/हमें |
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प्रसार विलंब टीपीएलएच / टीपीएचएल (अधिकतम) |
60एनएस, 60एनएस |
60एनएस, 60एनएस |
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वर्तमान - आउटपुट उच्च, निम्न |
250mA, 500mA |
250mA, 500mA |
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वोल्टेज आपूर्ति |
5V ~ 24V |
5V ~ 24V |
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परिचालन तापमान |
-40-C ~ 125-C |
-40-C ~ 125-C |
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पैकेज/केस |
एसओपी16 |
एसओपी16 |
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पैकेट |
टेप और रील (टीआर) |
टेप और रील (टीआर) |
अनुप्रयोग:
·बिजली वितरण प्रणाली
·मोटर नियंत्रण प्रणाली
·पृथक डीसी-डीसी बिजली की आपूर्ति
·प्रकाश नियंत्रण प्रणाली
·प्लाज्मा प्रदर्शित करता है
·सौर और औद्योगिक इनवर्टर
विवरण:
Si823x पृथक ड्राइवर परिवार दो स्वतंत्र, पृथक ड्राइवरों को एक पैकेज में जोड़ता है। Si8230/1/3/4 हाई-साइड/लो-साइड ड्राइवर हैं, और Si8232/5/6/7/8 डुअल ड्राइवर हैं। 0.5 ए (Si8230/1/2/7) और 4.0 ए (Si8233/4/5/6/8) के चरम आउटपुट करंट वाले संस्करण उपलब्ध हैं। सभी ड्राइवर 24 V की अधिकतम आपूर्ति वोल्टेज के साथ काम करते हैं।
The Si823x drivers utilize Silicon Labs' proprietary silicon isolation technology, which provides up to 5 kVRMS withstand voltage per UL1577 and fast 60 ns propagation times. Driver outputs can be grounded to the same or separate grounds or connected to a positive or negative voltage. The TTL level compatible inputs with >400 एमवी हिस्टैरिसीस व्यक्तिगत नियंत्रण इनपुट (Si8230/2/3/5/6/7/8) या PWM इनपुट (Si8231/4) कॉन्फ़िगरेशन में उपलब्ध हैं। उच्च एकीकरण, कम प्रसार विलंब, छोटे स्थापित आकार, लचीलापन और लागत-प्रभावशीलता Si823x परिवार को पृथक MOSFET/IGBT गेट ड्राइव अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए आदर्श बनाती है।
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