
ILD205T
विवरण
तकनीकी पैरामीटर
संबंधित उत्पाद:
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एमएफआर भाग |
ILD205T |
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विवरण |
ऑप्टोकॉप्लर, फोटोट्रांजिस्टर बाहर |
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भंडार |
80000 |
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उत्पाद की स्थिति |
सक्रिय |
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वोल्टेज - अलगाव |
3750वीआरएमएस |
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वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम) |
40% 25 % 40 10 एमए |
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वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम) |
80% @ 10एमए |
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चालू/बंद करने का समय (प्रकार) |
3µs,3µs |
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इनपुट प्रकार |
डीसी |
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उत्पादन का प्रकार |
ट्रांजिस्टर डीसी |
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वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम) |
80V |
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वर्तमान - आउटपुट/चैनल |
- |
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वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप) |
1.3V |
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वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम) |
60 एमए |
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परिचालन तापमान |
-55 डिग्री ~ 110 डिग्री |
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पैकेज/केस |
एसओपी8(3.9x1.27) |
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पैकेट |
टेप और रील (टीआर) |
सामान्य विवरण:
ILD205T, ILD206T, ILD207T, ILD211T, और ILD213T GaAs इन्फ्रारेड LED और एक सिलिकॉन NPN फोटोट्रांसिस्टर के साथ वैकल्पिक रूप से युग्मित जोड़े हैं। डीसी स्तर सहित सिग्नल जानकारी, इनपुट और आउटपुट के बीच उच्च स्तर के विद्युत अलगाव को बनाए रखते हुए डिवाइस द्वारा प्रसारित की जा सकती है। ILD205T, ILD206T, ILD207T, ILD211T, और ILD213T सतह पर लगाने के लिए एक मानक SOIC छोटे आउटलाइन पैकेज में आते हैं जो इसे सीमित स्थान के साथ उच्च घनत्व अनुप्रयोगों के लिए आदर्श रूप से उपयुक्त बनाता है। थ्रू-होल आवश्यकताओं को समाप्त करने के अलावा, यह पैकेज सतह पर लगे उपकरणों के मानकों के अनुरूप है।
एक निर्दिष्ट न्यूनतम और अधिकतम सीटीआर आसन्न सर्किट के विद्युत डिजाइन में एक संकीर्ण सहिष्णुता की अनुमति देता है। 70 V का उच्च BVCEO 30 V के उद्योग मानक की तुलना में अधिक सुरक्षा मार्जिन देता है।
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