NCV57090BDWR2G

NCV57090BDWR2G एक उन्नत आइसोलेशन गेट ड्राइवर है जो अपने उच्च शिखर आउटपुट करंट, कम क्लैंप वोल्टेज ड्रॉप और विभिन्न सुरक्षात्मक सुविधाओं के लिए जाना जाता है। ±6.5 ए के पीक आउटपुट करंट के साथ, यह आईजीबीटी और एमओएसएफईटी का सटीक नियंत्रण प्रदान करता है। इसका कम क्लैंप वोल्टेज ड्रॉप नकारात्मक बिजली आपूर्ति की आवश्यकता को समाप्त करता है, जिससे सिस्टम डिज़ाइन सरल हो जाता है। शॉर्ट सर्किट के दौरान लघु प्रसार विलंब और सक्रिय गेट क्लैंपिंग सिस्टम के प्रदर्शन और विश्वसनीयता को बढ़ाते हैं। सक्रिय गेट पुल-डाउन सुविधा तेजी से डिवाइस को बंद करना सुनिश्चित करती है, जिससे सिस्टम सुरक्षा बढ़ती है। टाइट यूवीएलओ थ्रेसहोल्ड और एक विस्तृत बायस वोल्टेज रेंज बायस वोल्टेज चयन में लचीलापन प्रदान करते हैं। डिवाइस 3.3 वी, 5 वी और 15 वी पर लॉजिक इनपुट का समर्थन करता है, और यह 5 केवीआरएमएस गैल्वेनिक अलगाव, उच्च क्षणिक प्रतिरक्षा और विद्युत चुम्बकीय प्रतिरक्षा प्रदान करता है। यह AEC-Q100 योग्य, PPAP सक्षम, Pb-मुक्त, हैलोजन मुक्त/BFR मुक्त और RoHS अनुरूप भी है, जो इसे ऑटोमोटिव और पर्यावरण के प्रति जागरूक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।

·मोटर नियंत्रण

· अबाधित विद्युत आपूर्ति (यूपीएस)

·ऑटोमोटिव अनुप्रयोग

·औद्योगिक विद्युत आपूर्ति

·सौर इनवर्टर

NCx57090y, NCx57091y 5 kVrms आंतरिक गैल्वेनिक अलगाव के साथ उच्च-वर्तमान एकल चैनल IGBT/MOSFET गेट ड्राइवर हैं, जो उच्च शक्ति अनुप्रयोगों में उच्च सिस्टम दक्षता और विश्वसनीयता के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। डिवाइस पूरक इनपुट स्वीकार करते हैं और पिन कॉन्फ़िगरेशन के आधार पर, सक्रिय मिलर क्लैंप (संस्करण ए/डी/एफ), नकारात्मक बिजली आपूर्ति (संस्करण बी) और अलग-अलग उच्च और निम्न (ओयूटीएच और आउटएल) ड्राइवर आउटपुट (संस्करण सी) जैसे विकल्प प्रदान करते हैं। /ई) सिस्टम डिज़ाइन सुविधा के लिए। ड्राइवर 3.3 V से 20 V तक इनपुट बायस वोल्टेज और सिग्नल स्तरों की विस्तृत श्रृंखला को समायोजित करता है और वे वाइड-बॉडी SOIC-8 पैकेज में उपलब्ध हैं।

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